CounterPoint：全球內(nèi)存價(jià)格年內(nèi)已上漲 50%，到 2026Q2 預(yù)估再漲 50%

市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu) CounterPoint Research 昨日（11 月 19 日）發(fā)布博文，示警全球內(nèi)存市場(chǎng)正面臨嚴(yán)峻的價(jià)格上漲壓力。

援引博文報(bào)告預(yù)測(cè)，繼今年價(jià)格已飆升 50% 之后，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的價(jià)格在 2025 年第四季度可能再上漲 30%，并在 2026 年初進(jìn)一步上漲 20%。綜合來(lái)看，到 2026 年第二季度，內(nèi)存價(jià)格相較于當(dāng)前水平，累計(jì)漲幅可能高達(dá) 50%。

當(dāng)前的供應(yīng)緊張主要源于舊款內(nèi)存芯片的短缺。為滿(mǎn)足人工智能（AI）領(lǐng)域的龐大需求，三星、SK 海力士等主要制造商正將產(chǎn)能優(yōu)先分配給更先進(jìn)的芯片，這直接導(dǎo)致了舊款 LPDDR4 內(nèi)存的供應(yīng)緊張。

這種產(chǎn)能轉(zhuǎn)移已引發(fā)市場(chǎng)價(jià)格倒掛的異�，F(xiàn)象：用于服務(wù)器和個(gè)人電腦的較新 DDR5 內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)約為每吉比特（Gb）1.50 美元，而廣泛用于低端消費(fèi)電子產(chǎn)品的舊款 LPDDR4 價(jià)格卻高達(dá) 2.10 美元，甚至超過(guò)了先進(jìn)的 HBM3e 內(nèi)存。

報(bào)告強(qiáng)調(diào)，一個(gè)更廣泛且長(zhǎng)期的風(fēng)險(xiǎn)正在浮現(xiàn)，其核心驅(qū)動(dòng)力是芯片巨頭英偉達(dá)（NVIDIA）的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型。傳統(tǒng)上，服務(wù)器為保證數(shù)據(jù)可靠性，普遍采用具備錯(cuò)誤糾正碼（ECC）功能的 DDR 內(nèi)存。

然而，英偉達(dá)為降低功耗，正轉(zhuǎn)向在服務(wù)器產(chǎn)品中大規(guī)模采用 LPDDR 內(nèi)存，并計(jì)劃通過(guò) CPU 層面處理錯(cuò)誤糾正。研究總監(jiān) MS Hwang 指出，這一轉(zhuǎn)變使英偉達(dá)的需求規(guī)模堪比一家大型智能手機(jī)制造商，對(duì)現(xiàn)有供應(yīng)鏈而言，這是一場(chǎng)難以迅速消化的“地震級(jí)”變革。

這一系列連鎖反應(yīng)的最終影響將廣泛波及整個(gè)消費(fèi)電子生態(tài)系統(tǒng)。高級(jí)分析師 Ivan Lam 表示，最初的沖擊主要影響采用 LPDDR4 的低端智能手機(jī)制造商，但“陣痛”很快會(huì)蔓延。

報(bào)告預(yù)測(cè)，中高端智能手機(jī)的物料清單（BoM）成本可能因此增加超過(guò) 25%，這將嚴(yán)重侵蝕制造商的利潤(rùn)空間，或迫使企業(yè)上調(diào)產(chǎn)品售價(jià)，從而影響市場(chǎng)增長(zhǎng)。在產(chǎn)能受限與價(jià)格飆升的雙重壓力下，整個(gè)行業(yè)將面臨艱難的權(quán)衡與抉擇。